Скипетров Евгений Павловичученые
энергетический спектр носителей заряда в узкозонных полупроводниках; собственные и радиационные дефекты в узкозонных полупроводниках; электрофизические и фотоэлектрические свойства полупроводников, облученных быстрыми частицами; спектроскопия глубоких и резонансных уровней в полупроводниках с помощью давления. Краткая характеристика основных результатов: предложен новый метод исследования энергетического спектра радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках, позволяющий получать информацию об уровнях радиационных дефектов, расположенных в окрестности краев энергетических зон, основанный на комплексном исследовании классических гальваномагнитных и квантовых осцилляционных эффектов в облученных быстрыми частицами образцах при атмосферном давлении и последующем гидростатическом сжатии; исследовано влияние глубокого облучения электронами на электрофизические свойства ряда узкозонных полупроводников А3В5 и А4В6; предложены модели энергетического спектра этих материалов, облученных быстрыми электронами; обнаружены переходы типа металл-диэлектрик, индуцированные электронным облучением и давлением; обнаружена и исследована группа легированных полупроводников А4В6, обладающих повышенной радиационной стойкостью электрофизических и фотоэлектрических параметров. Имеет 2 авторские свидетельства. Тема кандидатской диссертации: "Исследование перехода в бесщелевое состояние под действием давления у PbSe и сплавов на его основе". Тема докторской диссертации: "Глубокие и резонансные уровни радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках". Читает курсы лекций "Физика твердого тела", "Физика полупроводников", "Физика узкощелевых полупроводников и полуметаллов". Подготовил 2 кандидатов наук. Опубликовал 111 научных работ.
Статус VGV «Общественное достояние» Автор - Сергей Королев г.Владимир 2001-2022 гг. ^Наверх |